文 | 半导体产业纵横
功率元件的交期正在拉长。部分IDM大厂的部分功率半导体产品交期已长达30周。MOSFET、IGBT等主流品类均出现不同程度的供应紧张。
由于各地成熟制程产能纷纷满载，产能紧张状况在下半年恐只增不减。
这不是局部现象。
英飞凌在涨价通知函中明确指出，受AI数据中心部署带动，其功率开关与集成电路产品需求大涨并出现缺货。德州仪器2026年第一季度财报也印证了功率半导体市场的复苏，其数据中心业务营收同比增长高达约90%。
01 产品交期已拉长至30周
在这轮缺货潮中，不同技术路线和品类的功率器件呈现出截然不同的市场动态。
MOSFET产品因其在消费电子和服务器电源中的广泛应用，最先反映了本轮缺货趋势。特别是高压MOSFET，在AI服务器电源需求爆发下，由于裸晶尺寸更大、消耗产能更多，直接加剧了8英寸晶圆的紧缺。
IGBT的技术升级则聚焦于模块化与车规级可靠性提升。未来五年内IGBT仍将承担全球约55%的电动乘用车主驱以外的电控任务。、捷捷微电等本土企业在车规级IGBT和MOSFET领域持续发力，订单量大幅增长。
成本端的压力同样不可忽视。TrendForce预估，2026年全球8英寸晶圆代工厂平均产能利用率将从2025年的75%至80%大幅攀升至85%至90%。部分晶圆厂已通知客户调涨代工价5%至20%不等，且此次为不分客户、不分制程平台的全面性调价。在封测端，由于订单蜂拥而至，中国台湾的封测大厂如力成、南茂等产能利用率直逼满载，近期陆续启动首轮涨价，涨幅直逼30%。
供需失衡的压力，顺势传导至价格端。2026年开年，国际芯片巨头率先发难，随后国内厂商密集跟进，形成了一波声势浩大的涨价浪潮。
德州仪器自4月1日起对部分产品实施调价，涨幅在5%至85%之间，其中工业控制类产品涨幅居前。英飞凌早在2月便发布了涨价通知函，明确指出受AI数据中心部署带动，其功率开关与集成电路产品需求大涨并出现缺货，叠加晶圆厂投资及原材料成本上升，公司自4月1日起调整部分产品价格，最高涨幅达25%，并追溯至现有订单。意法半导体、安森美等老牌IDM大厂也相继发布了涨价函。
国内市场的反应同样迅速且猛烈。自1月起，中微半导便率先宣布对MCU等产品提价15%至50%。进入3月和4月，功率半导体龙头企业如士兰微、华润微、捷捷微电、新洁能等纷纷跟进。其中，士兰微自3月1日起对小信号二极管、三极管芯片及MOS类芯片等产品价格上调10%；捷捷微电则宣布，受原材料价格高位运行影响，其MOSFET产品自2月1日起成品价格上调10%至20%，IGBT产品预计自5月1日起同样上调10%至20%。
这场涨价潮来势汹汹，且远未结束。
02 功率半导体，越来越重要
功率半导体正从边缘走向核心。
英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck在2026财年第一季度财报会议上直言：“人工智能数据中心的电源解决方案仍是我们的重点；未来几年，电网基础设施的扩建也将成为新的重点领域。为了更好地服务我们的客户，我们正在调整制造产能，以应对该领域持续增长的需求，并提前投资相关领域。其中很大一部分将用于加速我们位于德累斯顿的智能功率半导体新工厂的量产进程。该工厂将于今年夏天正式启用，时间点完全契合市场发展。”
英飞凌预计，2027财年AI数据中心相关营收将达到约25亿欧元，本财年约为15亿欧元。到2030年末，英飞凌在该领域可服务的市场规模预计将达到80亿至120亿欧元。
这一判断正在变成现实。英飞凌2025财年AI数据中心相关营收几乎增长三倍，超过了7亿欧元。公司连续二十一年在全球功率半导体市场稳居第一。
英伟达800V HVDC架构
NVIDIA在2025年的技术大会上明确指出，将把800V高压直流（HVDC）放到下一代AI工厂的核心架构位置上。从传统的AC-DC转换向高压直流集中式电源柜设计的升级，催生了一系列耐高压功率元件的需求，这些需求从传统的处理器端扩张至电网端，涵盖了各类主板、备援电池模组、中央电池组等。
800V架构能够显著降低供配电网络中的能量损耗。英伟达表示，与使用415Vac将电力输送到机架相比，800Vdc将通过相同尺寸的配电导体传输的电力增加85%。
传统的54V机架内配电系统专为千瓦级机架设计，已无法满足现代AI工厂中兆瓦级机架的供电需求。当机架功率超过200千瓦后，这种供电方式逐渐面临物理极限：空间受限，铜缆过载，散热困难。
800V架构的技术路线已获得产业链广泛支持。包括Analog Devices、英飞凌、Innoscience、MPS、Navitas、onsemi、Renesas、ROHM、意法半导体和德州仪器在内的主流半导体厂商，均已宣布支持这一新供电架构。
在这套新架构中，SiC扮演着“大力士”的角色，在固态变压器等环节稳定处理上万伏的高压转换；而GaN则如同“短跑冠军”，在服务器内部以极快速度为GPU提供精准的电压调节。
SiC器件正迎来产能释放的爆发期。TrendForce预测，2026年全球SiC功率元件市场规模有望达53.3亿美元，其中应用于电动汽车的产值可达39.8亿美元。英飞凌位于马来西亚居林的12英寸SiC晶圆厂在2025年第二季度已满产运行，被评价为“开启了成本下降的新拐点”。
2026年GaN市场最大的变化，是从传统的手机快充走向车规主驱和AI电源。Yole与集邦咨询预计，2026年全球GaN功率器件市场规模将达9.2亿美元，较2025年增长58%。在AI数据中心，采用GaN后功率损耗可降低30%。
国产力量正在崛起。英诺赛科成为NVIDIA 800V系统供应商名单中唯一的中国本土企业，并在近期成功供货谷歌。天岳先进在2025年整体碳化硅衬底市场占有率跃居全球首位，打破了Wolfspeed多年的垄断，其8英寸产品全球市占率更是突破50%。比亚迪半导体推出了全球首款可批量装车的1500V高耐压大功率碳化硅芯片。
与AI需求形成共振的，是新能源汽车与光储市场的回暖。800V高压平台在新能源汽车中的普及速度加快，直接拉动了对SiC和IGBT等高端功率半导体的需求。碳化硅衬底市场在近月释放出积极信号，价格呈现结构性上涨。
03 抓紧扩产
面对需求爆发，产业链上下游正在紧急应对。
日本三大厂商的整合正在加速推进。2026年3月27日，东芝、罗姆和三菱电机签署基本协议，就整合功率半导体业务展开全面磋商。合并后的全球市场份额预计将达到11.3%，成为全球第二大半导体功率器件公司，仅次于英飞凌。4月25日最新消息显示，电装将撤回收购罗姆的提案，罗姆预计按既定策略推动与东芝、三菱电机的合作。
英飞凌则斥资50亿欧元在德累斯顿建设的Smart Power Fab将于2026年夏季启用，这是其历史上最大的单笔投资。公司计划在2026财年投资约27亿欧元，重点加速AI数据中心电源解决方案的产能扩充。
意法半导体宣布将在意大利卡塔尼亚新建8英寸碳化硅功率器件和模块的大规模制造及封测综合基地，这也是世界首个全流程垂直集成的碳化硅工厂。该项目总投资额预计为50亿欧元，预计2026年运营投产。
安森美宣布将斥资20亿美元在捷克建设垂直集成碳化硅制造工厂，借此扩大碳化硅产能。此外，安森美还以1.15亿美元收购Qorvo的碳化硅结型场效应晶体管技术业务，加速为新兴市场做准备。
国内企业的扩产同样在加速。
时代电气功率半导体业务进入投产期。2025年公司半导体板块收入53.6亿元，同比增长30.43%。宜兴三期项目已投产，株洲三期碳化硅项目也于2026年部分投产，功率半导体产能迅速增长。公司2025年实现营收287.61亿元，归母净利润41.05亿元，同比增长10.88%，连续四年实现营收净利双增。
华润微持续加大研发投入。2025年公司研发投入达11.68亿元，占营业收入比例超过10%。截至2025年末，已获得授权并维持有效的专利2547项，其中发明专利2187项。公司深圳12英寸产线按计划推进建设，目标2026年底通线。
斯达半导2025年营收40.12亿元，同比增长18.34%，创下历史新高。公司充分发挥Fabless+IDM双轮驱动业务模式优势，同步推进驱动IC、工业级与车规级MCU芯片与现有功率半导体业务深度融合。新能源汽车、新能源发电及AI服务器电源等新兴应用领域成为公司收入增长的核心支撑。
扬杰科技多条产线正按计划推进投产、扩产建设，如在越南基地投资建设首座车规级6吋晶圆工厂、首条车规级SiC芯片产线顺利实现量产爬坡、首条SiC车规级功率半导体模块封装项目建成并投产，同时车规级功率半导体模块封装项目、先进封装项目已于2025年开工，后续将根据市场需求及客户订单节奏逐步释放。
8英寸成为扩产重点。全球碳化硅产业正从150毫米晶圆向200毫米晶圆过渡。大尺寸晶圆有助于提升单片产出、降低单位成本，也对设备、工艺稳定性提出更高要求。
但扩产需要时间。在需求井喷的同时，供给端的掣肘同样在加剧供需失衡。许多企业在成熟制程扩产上显得尤为谨慎，AI数据中心与新能源汽车的爆发，对基于8英寸成熟制程的功率器件产生了海量需求，“需求井喷”与“产能滞后”的矛盾直接导致了供需失衡的加剧。
当前海外部分8英寸产线正逐渐转向先进封装或为了满足AI需求升级至12英寸，导致传统的成熟制程功率器件供给减少。这种AI需求对传统产能的“挤占效应”，是理解本轮涨价的一个关键视角。
这意味着，在未来一到两年内，功率半导体的供需紧张状况可能持续加剧。
从竞争格局看，全球功率半导体市场高度集中。英飞凌连续六年蝉联全球车用半导体市场份额第一，市场份额达到12.8%。中国公司士兰微和比亚迪半导体分别以3.3%和3.1%的份额躋身前十，标志着中国功率半导体企业的国际竞争力不断增强。
涨价潮已经启动，扩产正在进行。功率半导体的供需再平衡，需要产业链上下游的协同应对。而这场始于AI数据中心的需求爆发，正在重塑整个功率半导体产业的价值锚点。
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